BFP740FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies
Bipolartransistor, NPN, 45 mA, 4.2 V, SMD, TSFP-4, BFP740FESDH6327XTSA1
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Bipolartransistor, BFP740FESDH6327XTSA1, Infineon Technologies
Der BFP740FESDH6327XTSA1 ist ein sehr rauscharmer bipolarer Breitband-NPN-HF-Transistor. Der Baustein basiert auf einer zuverlässigen Silizium-Germanium-Kohlenstoff (SiGe:C)-Heteroübergangs-Bipolartechnologie mit hohem Volumen.
Features
- Hohe RF-Eingangsleistung
- Hoher ESD-Schutz
- Geräuscharm
- Pb-frei und RoHs-konform
Anwendungen
- Als Geräuscharm-Verstärker (LNA) in mobilen, tragbaren und festen Verbindungsanwendungen.
- Als diskreter aktiver Mischer, Verstärker in VCOs und Pufferverstärker
- Multimedia-Anwendungen wie mobiles/portables Fernsehen, CATV, FM-Radio
- Satellitenkommunikationssysteme, Navigationssysteme, Satellitenradio und C-Band LNB
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| Transitfrequenz fTmin | 47 GHz | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Min Gleichstromverstärkung | 160 mA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 4.2 V | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.16 W | |
| Max Gleichstromverstärkung | 400 mA | |
| Kollektorstrom | 45 mA | |
| Montage | SMD | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 4.9 V | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Gehäuse | TSFP-4 |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |