BFP720FH6327XTSA1 | Infineon Technologies
Bipolartransistor, NPN, 25 mA, 4 V, SMD, TSFP-4, BFP720FH6327XTSA1
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Bipolartransistor, BFP720FH6327XTSA1, Infineon Technologies
Der BFP720FH6327XTSA1 ist ein breitbandiger NPN-HF-Heteroübergang-Bipolartransistor (HBT).
Features
- Hochleistungs-Breitband-LNA-Transistor für allgemeine Zwecke
- Niedrige Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung
- Niedrige Stromverstärkung
- Pb-frei und RoHs-konform
Anwendungen
- FM-Radio
- Satellitenradio
- Schnurloses Telefon
- Bluetooth
Technische Daten
| Max Gleichstromverstärkung | 400 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 160 mA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 4 V | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | SMD | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 13 V | |
| Ausführung | NPN | |
| Kollektorstrom | 25 mA | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.1 W | |
| Transitfrequenz fTmin | 45 GHz | |
| Gehäuse | TSFP-4 |
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Logistik
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |