BFP650FH6327XTSA1 | Infineon Technologies
Bipolartransistor, NPN, 150 mA, 4 V, SMD, TSFP-4, BFP650FH6327XTSA1
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Bipolartransistor, BFP650FH6327XTSA1, Infineon Technologies
Features
- Niedrige Stromverstärkung
- Niedrige Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung
- 70 GHz fT- Silizium Germanium
- Pb-frei und RoHs-konform
Anwendungen
- Für Oszillatoren mit geringem Phasenrauschen
- Für mittlere Leistungsverstärker und Treiberstufen
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Min Gleichstromverstärkung | 110 mA | |
| Kollektorstrom | 150 mA | |
| Ausführung | NPN | |
| Max Gleichstromverstärkung | 270 mA | |
| Transitfrequenz fTmin | 42 GHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.5 W | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 13 V | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | SMD | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 4 V | |
| Gehäuse | TSFP-4 |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 1 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |