BFP540FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies
Bipolartransistor, NPN, 80 mA, 4.5 V, SMD, TSFP-4, BFP540FESDH6327XTSA1
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Bipolartransistor, BFP540FESDH6327XTSA1, Infineon Technologies
Features
- Niedrige Stromverstärkung
- Niedrige Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung
- Geräuscharm
- Pb-frei und RoHs-konform
Anwendungen
- Für ESD-geschützte Verstärker mit hoher Verstärkung und geringem Rauschen
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Min Gleichstromverstärkung | 50 mA | |
| Kollektorstrom | 80 mA | |
| Ausführung | NPN | |
| Max Gleichstromverstärkung | 170 mA | |
| Transitfrequenz fTmin | 30 GHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.25 W | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 10 V | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | SMD | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 4.5 V | |
| Gehäuse | TSFP-4 |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |