BCR112E6327 | Infineon Technologies
Bipolartransistor, NPN, 100 mA, 50 V, SMD, SOT-23, BCR112E6327
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Bipolartransistor, BCR112E6327, Infineon Technologies
Features
- Eingebauter Vorspannungswiderstand
- Niedrige Stromverstärkung
- Hohe Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung
- Pb-frei und RoHs-konform
Anwendungen
- Schaltkreis
- Wechselrichter
- Interface-Schaltung
- Treiberschaltung
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 50 V | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 50 V | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.2 W | |
| Nennstrom | 100 mA | |
| Montage | SMD | |
| Kollektorstrom | 100 mA | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| Transitfrequenz fTmin | 140 MHz | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Min Gleichstromverstärkung | 20 mA | |
| Sättigungsspannung | 300 mV |
Download
Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |