SI04C065D1 | Diotec
Schottky-Diode, 650 V (RRM), 4 A, DPAK, SI04C065D1
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Silizium-Schottky-Dioden, SI04C065D1, Diotec
Siliziumkarbid Schottky-Dioden
Features
- Niedrige kapazitive Ladung
- Extrem schnelles Schalten
- Hohe Sperrspannung
- Hohe Leistungsfähigkeit
- Konform zu RoHS
Anwendungen
- Gleichrichtung hoher Frequenzen
- Wandlerstufen mit hohem Wirkungsgrad
- Leistungsfaktorkorrektur-Dioden
- Freilaufdioden for inverters
- Gewerbliche/industrielle Qualität
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Sperrschichttemperatur (max.) | 175 °C | |
| Gehäuse | DPAK | |
| Sperrschichttemperatur (min.) | -50 °C | |
| Stoßspitzensperrspannung V RMS | 650 V | |
| Spannung V RRM (Spitzensperrspannung) | 650 V | |
| Ausführung | Siliziumkarbid Schottky-Diode | |
| Montage | SMD | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| Durchlassstrom | 4 A | |
| Anzahl der Dioden | 1 | |
| min. Temperatur | -50 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85411000 |
| MSL | MSL 3 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Nein |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |