ZXMN4A06GTA | Diodes
Diodes N-Kanal MOSFET, 40 V, 7 A, TO-261, ZXMN4A06GTA
Bestellnr.: 33S2876
EAN: 4099879034588
HTN:
ZXMN4A06GTA
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MOSFET, ZXMN4A06GTA, Diodes
Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, was ihn ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen macht.
Features
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Niedrige Schwelle
- Niedriger Torantrieb
Anwendungen
- DC-DC-Wandler
- Audio-Ausgangsstufen
- Ansteuerung von Relais und Hubmagneten
- Motorsteuerung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Gehäuse | TO-261 | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Strom | 7 A | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 50 mΩ | |
| max. Spannung | 40 V | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.82x10<sup>-8</sup> C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 1.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |