ZXMN3A01FTA | Diodes
Diodes N-Kanal MOSFET, 30 V, 2 A, TO-236, ZXMN3A01FTA
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MOSFET, ZXMN3A01FTA, Diodes
Dieser MOSFET der neuen Generation wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen eignet.
Features
- Niedriger On-Widerstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Niedriger Schwellenwert
- Niedriger Gate-Antrieb
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 120 mΩ | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 3.9x10<sup>-9</sup> C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Gehäuse | TO-236 | |
| Montage | SMD | |
| max. Strom | 2 A | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Spannung | 30 V | |
| Ausführung | N-Kanal |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |