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ZXMN10A11GTA | Diodes

Diodes N-Kanal MOSFET, 100 V, 1.7 A, TO-261, ZXMN10A11GTA

Bestellnr.: 33S2840
EAN: 4099879034526
HTN:
ZXMN10A11GTA
Diodes
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Wichtige Spezifikationen:
Ausführung N-Kanal
max. Spannung 100 V
max. Strom 1.7 A
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 350 mΩ
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Compliance

MOSFET, ZXMN10A11GTA, Diodes

Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, was ihn ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen macht.

Features

  • Schnelle Schaltgeschwindigkeit
  • Niedriger Torantrieb
  • Niedrige Eingangskapazität

Anwendungen

  • Motorsteuerung
  • DC-DC-Wandler
  • Funktionen zur Energieverwaltung
  • Uninterrupted power supply
Technische Daten
max. Spannung 100 V
Verlustleistung W (DC) 3.9 W
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 350 mΩ
Gehäuse TO-261
max. Strom 1.7 A
Gate Charge Qg @10V (nC) 5.4x10<sup>-9</sup> C
max. Temperatur 150 °C
Montage SMD
min. Temperatur -55 °C
Ausführung N-Kanal
Produkte gleicher technischer Daten 0
Logistik
Ursprungsland CN
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Rolle mit 1.000 Stück
Compliance
RoHS konform Ja
SVHC frei Ja