DMN6068SE-13 | Diodes
Diodes N-Kanal MOSFET, 60 V, 4.1 A, TO-261, DMN6068SE-13
Bestellnr.: 33S2386
EAN: 4099879034403
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DMN6068SE-13
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MOSFET, DMN6068SE-13, Diodes
Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, was ihn ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen macht.
Features
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Anwendungen
- Motorsteuerung
- Transformator-Steuerschalter
- DC-DC-Wandler
- Funktionen zur Energieverwaltung
- Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Technische Daten
| Verlustleistung W (DC) | 3.7 W | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 68 mΩ | |
| Montage | SMD | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max. Spannung | 60 V | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.03x10<sup>-8</sup> C | |
| max. Strom | 4.1 A | |
| Gehäuse | TO-261 |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 4.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |