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DMN10H120SE-13 | Diodes

Diodes N-Kanal MOSFET, 100 V, 3.6 A, TO-261, DMN10H120SE-13

Bestellnr.: 33S2166
EAN: 4099879034342
HTN:
DMN10H120SE-13
Diodes
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Wichtige Spezifikationen:
Ausführung N-Kanal
max. Spannung 100 V
max. Strom 3.6 A
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 110 mΩ
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Compliance

MOSFET, DMN10H120SE-13, Diodes

Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, was ihn ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen macht.

Features

  • Niedriger Einschaltwiderstand
  • Niedrige Eingangskapazität
  • Schnelle Schaltgeschwindigkeit
  • Geringe Eingangs-/Ausgangsleckage

Anwendungen

  • DC-DC-Wandler
  • Funktionen zur Energieverwaltung
Technische Daten
max. Spannung 100 V
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 110 mΩ
Gehäuse TO-261
max. Strom 3.6 A
Gate Charge Qg @10V (nC) 1x10<sup>-8</sup> C
max. Temperatur 150 °C
Montage SMD
min. Temperatur -55 °C
Ausführung N-Kanal
Produkte gleicher technischer Daten 0
Logistik
Ursprungsland CN
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Rolle mit 2.500 Stück
Compliance
RoHS konform Ja
SVHC frei Ja