DMG1012T-7 | Diodes
Diodes N-Kanal MOSFET, 20 V, 630 mA, SOT-523, DMG1012T-7
Bestellnr.: 33S2072
EAN: 4099879034274
HTN:
DMG1012T-7
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MOSFET, DMG1012T-7, Diodes
N-Kanal-MOSFET im Anreicherungsmodus
Features
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Niedrige Gate-Schwellenspannung
- Niedrige Eingangskapazität
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Geringe Eingangs-/Ausgangsleckage
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Spannung | 20 V | |
| Verlustleistung W (DC) | 280 mW | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 400 mΩ | |
| Gehäuse | SOT-523 | |
| max. Strom | 630 mA | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 7.4x10<sup>-10</sup> C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | SMD | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Ausführung | N-Kanal |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |