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BSS84-7-F | Diodes

Diodes P-Kanal P-Channel Enhancement Mode MOSFET, -50 V, -130 mA, SOT-23, BSS84-7-F

Bestellnr.: 33S2018
HTN:
BSS84-7-F
Diodes
BSS84-7-F Diodes MOSFETs
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Wichtige Spezifikationen:
Ausführung P-Kanal
max. Spannung -50 V
max. Strom -130 mA
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P-Kanal-MOSFET mit Anreicherungsmodus, BSS84-7-F, Diodes

Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(on)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen eignet.

Features

  • Niedriger On-Widerstand
  • Niedrige Gate-Schwellenspannung
  • Niedrige Eingangskapazität
  • Schnelle Schaltgeschwindigkeit
  • Niedrige Eingangs-/Ausgangsleckage

Anwendungen

  • Universalschnittstellenschalter
  • Leistungsmanagement-Funktionen
  • Analoge Schalter
Technische Daten
max. Spannung -50 V
Verlustleistung W (DC) 300 mW
Gehäuse SOT-23
max. Strom -130 mA
Gate Charge Qg @10V (nC) 5.9x10<sup>-10</sup> C
max. Temperatur 150 °C
Montage SMD
min. Temperatur -55 °C
Ausführung P-Kanal
Produkte gleicher technischer Daten 0
Logistik
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Rolle mit 3.000 Stück
Compliance
RoHS konform Ja
SVHC frei Ja