BSS127S-7 | Diodes
Diodes N-Kanal MOSFET, 600 V, 50 mA, TO-236, BSS127S-7
Einzelpreis (€ / Stk.)
0,3213 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 1 Woche
MOSFET, BSS127S-7, Diodes
Diese neue Generation verwendet fortschrittliche Planartechnologie-MOSFETs, die ausgezeichnete Hochspannung und schnelles Schalten bieten und somit ideal für Kleinsignal- und Level-Shift-Anwendungen sind.
Features
- Niedrige Eingangskapazität
- Hohe BVDSS-Bewertung für Leistungsanwendungen
- Niedrige Eingangs-/Ausgangsleckage
Anwendungen
- Motorsteuerung
- DC-DC-Wandler
- Funktionen zur Energieverwaltung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Spannung | 600 V | |
| Verlustleistung W (DC) | 1.25 W | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 160 Ω | |
| Gehäuse | TO-236 | |
| max. Strom | 50 mA | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.08x10<sup>-9</sup> C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | SMD | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Ausführung | N-Kanal |
Download
Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |