BSS123-7-F | Diodes
Diodes N-Kanal MOSFET, 100 V, 170 mA, TO-236, BSS123-7-F
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Kleinsignal-MOSFET NFET en N-Kanal-Anreicherungstyp Reihe BSP../BSS.
Technische Merkmale (Typ, Spannung (UDS), Strom (ID), Gehäuse, Hersteller): BSS123, 100 V, 170 mA, SOT23, Diodes
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 6 Ω | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Strom | 170 mA | |
| Gehäuse | TO-236 | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Spannung | 100 V | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Verlustleistung W (DC) | 300 mW | |
| Montage | SMD |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |