2N7002E-7-F | Diodes
Diodes N-Kanal MOSFET, 60 V, 300 mA, TO-236, 2N7002E-7-F
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N-Channel MOSFETs Typ Diodes 2N7000.
Mit niedrigem RDS(ON), niedrigem Schwellwert, geringe Eingangskapazität, schnelle Schaltgeschwindigkeit, AEC-Q101 qualifiziert; Gehäuse: SOT23, Betriebstemperatur: –55 bis +150 °C.
Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDSS), Strom (ID), Widerstand RDS(ON)): 2N7002E-7-F, 60 V, 300 mA, 3,0 Ohm
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Spannung | 60 V | |
| Verlustleistung W (DC) | 370 mW | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 3 Ω | |
| Gehäuse | TO-236 | |
| max. Strom | 300 mA | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.2x10<sup>-10</sup> C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | SMD | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Ausführung | N-Kanal |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |