ZTX951 | Diodes
Bipolartransistor, PNP, -4 A, -60 V, THT, E-Line, ZTX951
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BJT Trans, ZTX951, Diodes
Pnp-Silizium-Planartransistor mittlerer Leistung, Hochstromtransistor.
Features
- 4 Ampere Dauerstrom
- Sehr niedrige Sättigungsspannung
- Hervorragende Verstärkung bis zu 10 Ampere
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Ausführung | PNP | |
| Kollektorstrom | -4 A | |
| max. Temperatur | 200 °C | |
| Transitfrequenz fTmin | 120 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 1.2 W | |
| Montage | THT | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | -100 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | -60 V | |
| Gehäuse | E-Line | |
| Sättigungsspannung | -300 mV |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Zolltarifnummer | 85419000 |
| Ursprungsland | QU |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |