ZTX849 | Diodes

Bipolartransistor, NPN, 5 A, 30 V, THT, E-Line, ZTX849

Bestellnr.: 26S2884
EAN: 4099879030054
HTN:
ZTX849
Herstellerserien: ZTX
ZTX849 Diodes Bipolar Transistoren
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NPN-Transistor, ZTX849, DIODES

NPN-Silizium-Planartransistor für mittlere Leistung und hohen Strom, E-Line.

Technische Daten
Filter Merkmal Wert
Max Gleichstromverstärkung 300 mA
Min Gleichstromverstärkung 100 mA
Transitfrequenz fTmin 100 MHz
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo 80 V
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo 30 V
Ausführung NPN
min. Temperatur -55 °C
Kollektorstrom 5 A
max. Temperatur 200 °C
Verlustleistung VA (AC) 1.2 W
Gehäuse E-Line
Sättigungsspannung 200 mV
Montage THT
Nennstrom 5 A
Logistik
Merkmal Wert
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Bulk mit 4.000 Stück
Ursprungsland QU
Compliance
Merkmal Wert
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
RoHS konform Ja
SVHC frei Ja