ZTX849 | Diodes
Bipolartransistor, NPN, 5 A, 30 V, THT, E-Line, ZTX849
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NPN-Transistor, ZTX849, DIODES
NPN-Silizium-Planartransistor für mittlere Leistung und hohen Strom, E-Line.
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Nennstrom | 5 A | |
| max. Temperatur | 200 °C | |
| Montage | THT | |
| Transitfrequenz fTmin | 100 MHz | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Ausführung | NPN | |
| Verlustleistung VA (AC) | 1.2 W | |
| Max Gleichstromverstärkung | 300 mA | |
| Gehäuse | E-Line | |
| Sättigungsspannung | 200 mV | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 30 V | |
| Kollektorstrom | 5 A | |
| Min Gleichstromverstärkung | 100 mA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 80 V |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Bulk mit 4.000 Stück |
| Ursprungsland | QU |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |