ZTX849 | Diodes
Bipolartransistor, NPN, 5 A, 30 V, THT, E-Line, ZTX849
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NPN-Transistor, ZTX849, DIODES
NPN-Silizium-Planartransistor für mittlere Leistung und hohen Strom, E-Line.
Technische Daten
Filter | Merkmal | Wert |
---|---|---|
Max Gleichstromverstärkung | 300 mA | |
Min Gleichstromverstärkung | 100 mA | |
Transitfrequenz fTmin | 100 MHz | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 80 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 30 V | |
Ausführung | NPN | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Kollektorstrom | 5 A | |
max. Temperatur | 200 °C | |
Verlustleistung VA (AC) | 1.2 W | |
Gehäuse | E-Line | |
Sättigungsspannung | 200 mV | |
Montage | THT | |
Nennstrom | 5 A |
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Logistik
Merkmal | Wert |
---|---|
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Bulk mit 4.000 Stück |
Ursprungsland | QU |
Compliance
Merkmal | Wert |
---|---|
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
RoHS konform | Ja |
SVHC frei | Ja |