ZTX849 | Diodes
Bipolartransistor, NPN, 5 A, 30 V, THT, E-Line, ZTX849
Einzelpreis (€ / Stk.)
0,6545 € *
Lagerbestand: 0 Stk.
Lieferzeit ab Hersteller: Auf Anfrage **
Gesamtpreis:
2.618,00 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
**Zwischenverkauf vorbehalten
4000 Stk.
0,6545 €
NPN-Transistor, ZTX849, DIODES
NPN-Silizium-Planartransistor für mittlere Leistung und hohen Strom, E-Line.
Technische Daten
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 80 V | |
| max. Temperatur | 200 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 30 V | |
| Verlustleistung VA (AC) | 1.2 W | |
| Max Gleichstromverstärkung | 300 mA | |
| Nennstrom | 5 A | |
| Min Gleichstromverstärkung | 100 mA | |
| Transitfrequenz fTmin | 100 MHz | |
| Kollektorstrom | 5 A | |
| Gehäuse | E-Line | |
| Sättigungsspannung | 200 mV | |
| Ausführung | NPN | |
| Montage | THT |
Download
Logistik
| Originalverpackung | Bulk mit 4.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | QU |
Compliance
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |