FZT849TA | Diodes
Bipolartransistor, NPN, 7 A, 30 V, SMD, SOT-223, FZT849TA
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NPN-Transistor, FZT849TA, DIODES
NPN-Transistor mit mittlerer Leistung und hohem Strom im SOT223-Gehäuse.
Features
- Halogen- und antimonfrei
- RoHS-konform
- Qualifiziert nach AEC-Q101-Normen für hohe Zuverlässigkeit
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Kollektorstrom | 7 A | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 30 V | |
| Min Gleichstromverstärkung | 100 mA | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | SMD | |
| Ausführung | NPN | |
| Verlustleistung VA (AC) | 3 W | |
| Gehäuse | SOT-223 | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 80 V | |
| Transitfrequenz fTmin | 100 MHz | |
| Sättigungsspannung | 350 mV | |
| Max Gleichstromverstärkung | 300 mA |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | DE |
| Originalverpackung | Rolle mit 1.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |