4-Kbit nichtflüchtiger Speicher, FM24C04B-GTR, Cypress
Der FM24C04B-GTR ist ein nichtflüchtiger 4-Kbit-Speicher, der ein fortschrittliches ferroelektrisches Verfahren verwendet. Ein ferroelektrischer Direktzugriffsspeicher oder F-RAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM durch. Er bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 Jahre und eliminiert die Komplexität, den Overhead und die Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die durch EEPROM und andere nichtflüchtige Speicher verursacht werden. Anders als EEPROM führt der FM24C04B-GTR Schreibvorgänge mit Busgeschwindigkeit durch. Es treten keine Schreibverzögerungen auf. Die Daten werden sofort in das Speicherarray geschrieben, nachdem jedes Byte erfolgreich an das Gerät übertragen wurde. Der nächste Buszyklus kann beginnen, ohne dass ein Datenpolling erforderlich ist. Darüber hinaus bietet das Produkt im Vergleich zu anderen nichtflüchtigen Speichern eine beträchtliche Schreibausdauer. Außerdem ist der Stromverbrauch von F-RAM bei Schreibvorgängen wesentlich geringer als bei EEPROM, da die Schreibvorgänge keine intern erhöhte Versorgungsspannung für die Schreibschaltungen erfordern. Der FM24C04B-GTR ist in der Lage, 1014 Lese-/Schreibzyklen bzw. 100 Millionen Mal mehr Schreibzyklen als EEPROM zu unterstützen.
Features
- Fortschrittlicher, hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
- Geringer Stromverbrauch
- RoHS-konform
