BDV67C-T | COMSET Semiconductors
Bipolartransistor, NPN, 16 A, 120 V, THT, TO-3PN, BDV67C-T
Bestellnr.: 15S5020
EAN: 4099879028549
HTN:
BDV67C-T
Einzelpreis (€ / Stk.)
3,6414 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 6 Wochen
Gesamtpreis:
910,35 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Zwischenverkauf vorbehalten
250 Stk.
3,6414 €
NPN-Leistungstransistor, BDV67C-T, COMSET
Dies ist ein Silizium-Epitaxie-Basistransistor im TO-3PN-Gehäuse. Er ist für Audio-Ausgangsstufen und allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen konzipiert.
Features
- Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Ausführung | NPN | |
| Kollektorstrom | 16 A | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Verlustleistung VA (AC) | 200 W | |
| Montage | THT | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 140 V | |
| Min Gleichstromverstärkung | 1000 mA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 120 V | |
| Gehäuse | TO-3PN | |
| Sättigungsspannung | 2 V |
Download
Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |