BDV65C | COMSET Semiconductors
Bipolartransistor, NPN, 12 A, 120 V, THT, TO-3P, BDV65C
Bestellnr.: 15S5010
EAN: 4099879028525
HTN:
BDV65C
Einzelpreis (€ / Stk.)
5,0932 € *
Sofort verfügbar: 18 Stk.
Gesamtpreis:
5,09 € *
Preisstaffel
Anzahl
Preis pro Einheit*
1 Stk.
5,0932 €
30 Stk.
4,4744 €
120 Stk.
4,2364 €
270 Stk.
4,0817 €
1020 Stk.
3,8556 €
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Zwischenverkauf vorbehalten
NPN-Leistungstransistor, BDV65C, COMSET
Der BDV65C ist ein Silizium-Epitaxie-Basistransistor im TO-3PN-Gehäuse. Er ist für Audio-Ausgangsstufen und allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen konzipiert.
Features
- Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Technische Daten
Filter | Merkmal | Wert |
---|---|---|
Montage | THT | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 120 V | |
max. Temperatur | 150 °C | |
Min Gleichstromverstärkung | 1000 mA | |
min. Temperatur | -65 °C | |
Ausführung | NPN | |
Kollektorstrom | 12 A | |
Nennstrom | 12 A | |
Verlustleistung VA (AC) | 125 W | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 120 V | |
Sättigungsspannung | 2 V | |
Gehäuse | TO-3P |
Download
Logistik
Merkmal | Wert |
---|---|
Ursprungsland | CN |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Stange mit 30 Stück |
Compliance
Merkmal | Wert |
---|---|
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
RoHS konform | Ja |
SVHC frei | Ja |