BDV65C | COMSET Semiconductors

Bipolartransistor, NPN, 12 A, 120 V, THT, TO-3P, BDV65C

Bestellnr.: 15S5010
EAN: 4099879028525
HTN:
BDV65C
BDV65C COMSET Semiconductors Bipolar Transistoren
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NPN-Leistungstransistor, BDV65C, COMSET

Der BDV65C ist ein Silizium-Epitaxie-Basistransistor im TO-3PN-Gehäuse. Er ist für Audio-Ausgangsstufen und allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen konzipiert.

Features

  • Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
min. Temperatur -65 °C
Gehäuse TO-3P
Sättigungsspannung 2 V
Kollektorstrom 12 A
Verlustleistung VA (AC) 125 W
Min Gleichstromverstärkung 1000 mA
Montage THT
Nennstrom 12 A
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo 120 V
Ausführung NPN
max. Temperatur 150 °C
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo 120 V
Logistik
Merkmal Wert
Originalverpackung Stange mit 30 Stück
Zolltarifnummer 85412900
Ursprungsland CN
Compliance
Merkmal Wert
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja
RoHS konform Ja