2N5416-T | COMSET Semiconductors
Bipolartransistor, PNP, -200 mA, -300 V, THT, TO-39, 2N5416-T
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PNP-Transistor, 2N5416-T, COMSET
Der 2N5416-T ist ein PNP-Transistor in einem TO-39-Metallgehäuse. Er ist für den Einsatz in Hochspannungsschalt- und Linearverstärkeranwendungen vorgesehen.
Features
- Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Technische Daten
| Ausführung | PNP | |
| Gehäuse | TO-39 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | -350 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | -300 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | THT | |
| Sättigungsspannung | -2.5 V | |
| Transitfrequenz fTmin | 15 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 1 W | |
| Kollektorstrom | -200 mA | |
| Max Gleichstromverstärkung | 120 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 30 mA |
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Logistik
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Bulk mit 500 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
