2N5416-T | COMSET Semiconductors

Name: Bipolartransistor, PNP, -200 mA, -300 V, THT, TO-39, 2N5416-T
Brand: COMSET Semiconductors
SKU: 28S1350
Availability: InStock

Bipolartransistor, PNP, -200 mA, -300 V, THT, TO-39, 2N5416-T

Bestellnr.: 28S1350

EAN: 4099879030504

HTN:

2N5416-T

Herstellerserien: 2N5

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Wichtige Spezifikationen:

Montage THT

Gehäuse TO-39

Ausführung PNP

Sättigungsspannung -2.5 V

Kollektorstrom -200 mA

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Produktbeschreibung

PNP-Transistor, 2N5416-T, COMSET

Der 2N5416-T ist ein PNP-Transistor in einem TO-39-Metallgehäuse. Er ist für den Einsatz in Hochspannungsschalt- und Linearverstärkeranwendungen vorgesehen.

Features

Einhaltung der RoHS-Richtlinien

Technische Daten

	Ausführung	PNP
	Gehäuse	TO-39
	max. Temperatur	150 °C
	max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo	-350 V
	max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo	-300 V
	min. Temperatur	-65 °C
	Montage	THT
	Sättigungsspannung	-2.5 V
	Transitfrequenz fTmin	15 MHz
	Verlustleistung VA (AC)	1 W
	Kollektorstrom	-200 mA
	Max Gleichstromverstärkung	120 mA
	Min Gleichstromverstärkung	30 mA