2N2894 | COMSET Semiconductors
Bipolartransistor, PNP, -200 mA, -12 V, THT, TO-18, 2N2894
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PNP-Transistor, 2N2894, COMSET
Der planare epitaktische Silizium-PNP-Transistor 2N2894 ist in einem TO-18-Metallgehäuse untergebracht. Er ist für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen mit niedriger Sättigung und bis zu 100 mA vorgesehen.
Features
- Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Technische Daten
Ausführung | PNP | |
Gehäuse | TO-18 | |
max. Temperatur | 200 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | -12 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | -12 V | |
min. Temperatur | -65 °C | |
Montage | THT | |
Nennstrom | 200 mA | |
Sättigungsspannung | -200 mV | |
Transitfrequenz fTmin | 400 MHz | |
Verlustleistung VA (AC) | 0.36 W | |
Kollektorstrom | -200 mA | |
Max Gleichstromverstärkung | 150 mA | |
Min Gleichstromverstärkung | 40 mA |
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Logistik
Ursprungsland | CN |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Bulk mit 500 Stück |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |