2N2894 | COMSET Semiconductors
Bipolartransistor, PNP, -200 mA, -12 V, THT, TO-18, 2N2894
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PNP-Transistor, 2N2894, COMSET
Der planare epitaktische Silizium-PNP-Transistor 2N2894 ist in einem TO-18-Metallgehäuse untergebracht. Er ist für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen mit niedriger Sättigung und bis zu 100 mA vorgesehen.
Features
- Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Technische Daten
| Ausführung | PNP | |
| Gehäuse | TO-18 | |
| max. Temperatur | 200 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | -12 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | -12 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | THT | |
| Nennstrom | 200 mA | |
| Sättigungsspannung | -200 mV | |
| Transitfrequenz fTmin | 400 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.36 W | |
| Kollektorstrom | -200 mA | |
| Max Gleichstromverstärkung | 150 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 40 mA |
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Logistik
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Bulk mit 500 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
