2N5416 | CDIL
Bipolartransistor, PNP, 1 A, 300 V, THT, TO-39, 2N5416
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PNP-Transistor, 2N5416, CDIL
Dieser PNP-Silizium-Hochspannungstransistor wird für Hochgeschwindigkeitsschaltungen und lineare Verstärkeranwendungen in militärischen, industriellen und kommerziellen Geräten verwendet.
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Max Gleichstromverstärkung | 120 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 30 mA | |
| Transitfrequenz fTmin | 15 MHz | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 350 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 300 V | |
| Ausführung | PNP | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Kollektorstrom | 1 A | |
| max. Temperatur | 200 °C | |
| Verlustleistung VA (AC) | 1 W | |
| Gehäuse | TO-39 | |
| Sättigungsspannung | 2 V | |
| Montage | THT | |
| Nennstrom | 1 A |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Bulk mit 500 Stück |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |