BIDW20N60T | Bourns Electronics GmbH
IGBT, THT, 600 V, 20 A, TO-247, BIDW20N60T
Bestellnr.: 26S9093
EAN: 4099891587635
HTN:
BIDW20N60T
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Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), BIDW20N60T, Bourns
Der IGBT-Baustein BIDW20N60T kombiniert die Technologie eines MOS-Gate- und eines bipolaren Transistors zu einem optimalen Bauteil für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieser Baustein verwendet die Trench-Gate-Field-Stop-Technologie, die eine bessere Kontrolle der dynamischen Eigenschaften mit einem geringeren Leitungsverlust und weniger Schaltverlusten ermöglicht. Darüber hinaus bietet diese Struktur einen positiven Temperaturkoeffizienten.
Features
- Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)
- Trench-Gate-Feld-Stopp-Technik
- Optimiert für Konduktion
- RoHS-konform
Anwendungen
- Schaltnetzteile (SMPS)
- Unterbrechungsfreie Stromquellen (UPS)
- Leistungsfaktor-Korrektur (PFC)
Technische Daten
| Ausführung | Einfach | |
| Gehäuse | TO-247 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | THT | |
| Sättigungsspannung | 2.4 V | |
| Schaltverlust b. Ausschalten Eoff typ. | 0.3 J | |
| Schaltverlust b. Einschalten Eon typ. | 1 J | |
| Verlustleistung VA (AC) | 192 W |
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Logistik
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Stange mit 30 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
