Ausführung
max. Spannung
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Gehäuse
Verlustleistung VA (AC)
Verlustleistung W (DC)
Montage
min. Temperatur
max. Temperatur
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Artikelbeschreibung
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Ausführung
max. Spannung
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Gehäuse
Verlustleistung VA (AC)
Verlustleistung W (DC)
Montage
min. Temperatur
max. Temperatur
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 200 V, 30 A, TO-247, IRFP250NPBF
Bestellnr.:
 24S3301
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRFP250NPBF
Sofort verfügbar: 5.254 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 1.120 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche **
Gesamtpreis: 2,07 € *
1 Stk.
2,0706 €
25 Stk.
1,7493 €
100 Stk.
1,6184 €
250 Stk.
1,5470 €
1000 Stk.
1,4161 €
N-Kanal
200 V
30 A
75 mΩ
TO-247
214 W
THT
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 500 V, 20 A, TO-247, IRFP460APBF
Bestellnr.:
 24S3312
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRFP460APBF
Lagerbestand: 0 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 530 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche ** Nächste Lieferung: 1 Stk. bestätigt für 24.05.2024
Gesamtpreis: 4,20 € *
1 Stk.
4,2007 €
50 Stk.
3,7366 €
N-Kanal
500 V
20 A
270 mΩ
TO-247
280 W
THT
-55 °C
150 °C