Ausführung
max. Spannung
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Gehäuse
Verlustleistung W (DC)
Montage
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max. Temperatur
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Artikelbeschreibung
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Ausführung
max. Spannung
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Gehäuse
Verlustleistung W (DC)
Montage
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max. Temperatur
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 55 V, 47 A, TO-220, IRLZ44NPBF
Bestellnr.:
 24S3373
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRLZ44NPBF
Sofort verfügbar: 700 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 3.570 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche **
Gesamtpreis: 1,25 € *
1 Stk.
1,2495 €
10 Stk.
0,9044 €
100 Stk.
0,7735 €
500 Stk.
0,6664 €
1000 Stk.
0,6188 €
N-Kanal
55 V
47 A
22 mΩ
TO-220
83 W
THT
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 200 V, 18 A, TO-220, IRF640NPBF
Bestellnr.:
 24S3233
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRF640NPBF
Sofort verfügbar: 2.132 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 3.140 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche **
Gesamtpreis: 1,01 € *
1 Stk.
1,0115 €
10 Stk.
0,7140 €
100 Stk.
0,6188 €
500 Stk.
0,5236 €
1000 Stk.
0,4760 €
N-Kanal
200 V
18 A
150 mΩ
TO-220
150 W
THT
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 55 V, 18 A, TO-220, IRLZ24NPBF
Bestellnr.:
 24S3377
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRLZ24NPBF
Sofort verfügbar: 445 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 1.430 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche **
Gesamtpreis: 2,86 € *
5 Stk.
0,5712 €
150 Stk.
0,4879 €
500 Stk.
0,4403 €
1000 Stk.
0,4165 €
N-Kanal
55 V
18 A
105 mΩ
60 mΩ
TO-220
45 W
THT
-55 °C
175 °C