Ausführung
max. Spannung
Gehäuse
Montage
max. Strom
Verlustleistung VA (AC)
Sättigungsspannung
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Kollektorstrom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
min. Temperatur
max. Temperatur
Verlustleistung W (DC)
Nennstrom
Ausgewählte Filter:
Hersteller: onsemi  
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39 Artikel in 49 Varianten
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Artikelbeschreibung
Gesamt
Preisstaffel
Ausführung
max. Spannung
Gehäuse
Montage
max. Strom
Verlustleistung VA (AC)
Sättigungsspannung
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Kollektorstrom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
min. Temperatur
max. Temperatur
Verlustleistung W (DC)
Nennstrom
Bipolartransistor, PNP, 8 A, 80 V, SMD, TO-252, MJD45H11T4G
Bestellnr.:
 31S3257
Hersteller:
 onsemi
Hersteller-Nr.:
 MJD45H11T4G
Sofort verfügbar: 2.500 Stk. Ab Hersteller: 13 Wochen **
Gesamtpreis: 0,60 € *
1 Stk.
0,5950 €
10 Stk.
0,4998 €
100 Stk.
0,4641 €
500 Stk.
0,4284 €
2500 Stk.
0,3808 €
PNP
TO-252
SMD
20 W
1 V
8 A
-55 °C
150 °C
8 A
onsemi N-Kanal Power Trench MOSFET, 80 V, 270 A, D2PAK-7L, FDB0190N807L
Bestellnr.:
 54S1023
Hersteller:
 onsemi
Hersteller-Nr.:
 FDB0190N807L
Sofort verfügbar: 800 Stk. Ab Hersteller: 52 Wochen **
Gesamtpreis: 8,21 € *
1 Stk.
8,2110 €
10 Stk.
5,8667 €
100 Stk.
5,0218 €
500 Stk.
4,3554 €
800 Stk.
3,9627 €
N-Kanal
80 V
D2PAK-7L
SMD
270 A
1.7 mΩ
-55 °C
175 °C
250 W