FDMS8D8N15C | onsemi

Name: onsemi N-Kanal Shielded PowerGate Trench MOSFET, 150 V, 85 A, Power56, FDMS8D8N15C
Brand: onsemi
SKU: 54S1014
Price: 2.52 EUR
Availability: OutOfStock

onsemi N-Kanal Shielded PowerGate Trench MOSFET, 150 V, 85 A, Power56, FDMS8D8N15C

Bestellnr.: 54S1014

EAN: 4099879034717

HTN:

FDMS8D8N15C

Herstellerserien: FDMS8

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Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 150 V

max. Strom 85 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 8.8 mΩ

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Produktbeschreibung

Strom Graben, FDMS8D8N15C, onsemi

Die FDMS8D8N15C wird mit dem fortschrittlichen PowerTrench-Verfahren hergestellt, das die Shielded-Gate-Technologie beinhaltet. Dieser Prozess wurde optimiert, um den Durchlasswiderstand zu minimieren und dennoch eine überragende Schaltleistung mit der klassenbesten Weichkörperdiode beizubehalten.

Technische Daten

	Ausführung	N-Kanal
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	8.8 mΩ
	Gate Charge Qg @10V (nC)	3.8x10<sup>-8</sup> C
	Gehäuse	Power56
	max. Spannung	150 V
	max. Strom	85 A
	max. Temperatur	150 °C
	min. Temperatur	-55 °C
	Montage	SMD