Gehäuse
Ausführung
Montage
max. Spannung
max. Strom
max. Temperatur
min. Temperatur
Verlustleistung VA (AC)
Sättigungsspannung
Anwendung
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Anzahl der Kanäle
Nennstrom
Kollektorstrom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Durchlassspannung
Ausgewählte Filter:
Hersteller: Infineon Technologies  
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Artikelbeschreibung
Gesamt
Preisstaffel
Gehäuse
Ausführung
Montage
max. Spannung
max. Strom
max. Temperatur
min. Temperatur
Verlustleistung VA (AC)
Sättigungsspannung
Anwendung
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Anzahl der Kanäle
Nennstrom
Kollektorstrom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Durchlassspannung
BTS612N1E3128ABUMA1
Bestellnr.:
 88S7860
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 BTS612N1E3128ABUMA1
Lagerbestand: 0 Stk. Ab Hersteller: Auf Anfrage **
Gesamtpreis: 2,51 € *
1000 Stk.
2,5109 €
TO-263
N-Kanal
SMD
34 V
1.7 A
150 °C
-40 °C
2
BTF500601TEAAUMA1
Bestellnr.:
 88S7677
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 BTF500601TEAAUMA1
Lagerbestand: 0 Stk. Ab Hersteller: 89 Wochen **
Gesamtpreis: 2,65 € *
2500 Stk.
2,6537 €
TO-252
P-Kanal
SMD
28 V
13.5 A
150 °C
-40 °C
1
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 100 V, 57 A, TO-220, IRF3710PBF
Bestellnr.:
 31S3090
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRF3710PBF
Sofort verfügbar: 35 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 1.160 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche ** Nächste Lieferung: 20 Stk. bestätigt für 21.05.2024
Gesamtpreis: 1,27 € *
1 Stk.
1,2733 €
100 Stk.
1,1305 €
TO-220
N-Kanal
THT
100 V
57 A
175 °C
-55 °C
23 mΩ