max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Verlustleistung W (DC)
Ausführung
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Montage
max. Spannung
min. Temperatur
max. Temperatur
Gehäuse
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Hersteller: Infineon Technologies   Herstellerserie: IRLZ  
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max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Verlustleistung W (DC)
Ausführung
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Montage
max. Spannung
min. Temperatur
max. Temperatur
Gehäuse
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 55 V, 30 A, TO-220, IRLZ34NPBF
Bestellnr.:
 24S3372
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRLZ34NPBF
Sofort verfügbar: 749 Stk. Ab Hersteller: 46 Wochen **
Gesamtpreis: 0,77 € *
1 Stk.
0,7735 €
25 Stk.
0,6307 €
100 Stk.
0,5236 €
250 Stk.
0,4522 €
1000 Stk.
0,3927 €
30 A
35 mΩ
56 W
N-Kanal
THT
55 V
-55 °C
175 °C
TO-220
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 55 V, 47 A, TO-220, IRLZ44NPBF
Bestellnr.:
 24S3373
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRLZ44NPBF
Sofort verfügbar: 700 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 3.570 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche **
Gesamtpreis: 1,25 € *
1 Stk.
1,2495 €
10 Stk.
0,9044 €
100 Stk.
0,7735 €
500 Stk.
0,6664 €
1000 Stk.
0,6188 €
47 A
22 mΩ
83 W
N-Kanal
THT
55 V
-55 °C
175 °C
TO-220
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 55 V, 18 A, TO-220, IRLZ24NPBF
Bestellnr.:
 24S3377
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRLZ24NPBF
Sofort verfügbar: 445 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 1.430 Stk. Ab Hersteller: 1 Woche **
Gesamtpreis: 2,86 € *
5 Stk.
0,5712 €
150 Stk.
0,4879 €
500 Stk.
0,4403 €
1000 Stk.
0,4165 €
18 A
60 mΩ
45 W
N-Kanal
105 mΩ
THT
55 V
-55 °C
175 °C
TO-220