BZD27C8V2P-E3-08 | Vishay
Silizium-Planar-Zener-Diode, 8.2 V, 800 mW, DO-219AB, BZD27C8V2P-E3-08
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   Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 1 Woche 
  0,8W/8.2V DO219 +-5% 
  Technische Daten        
      
 | Filter | Merkmal | Wert | 
|---|---|---|
| min. Temperatur | -65 °C | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| Montage | SMD | |
| Gehäuse | DO-219AB | |
| Verlustleistung W (DC) | 800 mW | |
| Sperrschichttemperatur (max.) | 175 °C | |
| Anzahl der Dioden | 1 | |
| Zenerspannung | 8.2 V | |
| Länge | 3.9 mm | |
| Produkt-Art | Silizium-Planar-Zener-Diode | 
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  Logistik        
     
 | Merkmal | Wert | 
|---|---|
| MSL | MSL 1 | 
| Ursprungsland | CN | 
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück | 
| Zolltarifnummer | 85411000 | 
 Compliance        
     
 | Merkmal | Wert | 
|---|---|
| SVHC frei | Ja | 
| RoHS konform | Ja | 
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |