SIS862DN-T1-GE3 | Vishay

Name: Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 60 V, 40 A, PowerPAK 1212-8, SIS862DN-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 24S8242
Availability: OutOfStock

Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 60 V, 40 A, PowerPAK 1212-8, SIS862DN-T1-GE3

Bestellnr.: 24S8242

EAN: 4099879033765

HTN:

SIS862DN-T1-GE3

Herstellerserien: SI

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Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 60 V

max. Strom 40 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 8.5 mΩ

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Produktbeschreibung

N-Channel MOSFETs Typ Vishay Siliconix Si.

Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Widerstand (RDSON), Strom ID (TC = 25°C), Gate-Ladung Qg, Gehäuse): SiS862DN, 60 V, 8,5 mOhm, 40 A, 8,7 nC, PowerPAK 1212-8

Technische Daten

	Verlustleistung W (DC)	52 W
	max. Strom	40 A
	Gate Charge Qg @10V (nC)	3.2x10<sup>-8</sup> C
	max. Temperatur	150 °C
	Ausführung	N-Kanal
	Montage	SMD
	max. Spannung	60 V
	Gehäuse	PowerPAK 1212-8
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	8.5 mΩ
	min. Temperatur	-55 °C