SIRA18DP-T1-GE3 | Vishay

Name: Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 30 V, 33 A, SOIC-8, SIRA18DP-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 24S8220
Availability: OutOfStock

Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 30 V, 33 A, SOIC-8, SIRA18DP-T1-GE3

Bestellnr.: 24S8220

EAN: 4099879033680

HTN:

SIRA18DP-T1-GE3

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Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 30 V

max. Strom 33 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 7.5 mΩ

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Produktbeschreibung

N-Channel MOSFETs Typ Vishay Siliconix Si.

Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Widerstand (RDSON), Strom ID (TC = 25°C), Gate-Ladung Qg, Gehäuse): SiRA18DP, 30 V, 7,5 mOhm, 33 A, 6,9 nC, PowerPAK SO-8

Technische Daten

	min. Temperatur	-55 °C
	max. Temperatur	150 °C
	max. Spannung	30 V
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	7.5 mΩ
	Gehäuse	SOIC-8
	Verlustleistung W (DC)	14.7 W
	Gate Charge Qg @10V (nC)	2.15x10<sup>-8</sup> C
	Ausführung	N-Kanal
	Montage	SMD
	max. Strom	33 A