SIRA18DP-T1-GE3 | Vishay
Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 30 V, 33 A, SOIC-8, SIRA18DP-T1-GE3
Bestellnr.: 24S8220
EAN: 4099879033680
HTN:
SIRA18DP-T1-GE3
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N-Channel MOSFETs Typ Vishay Siliconix Si.
Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Widerstand (RDSON), Strom ID (TC = 25°C), Gate-Ladung Qg, Gehäuse): SiRA18DP, 30 V, 7,5 mOhm, 33 A, 6,9 nC, PowerPAK SO-8
Technische Daten
min. Temperatur | -55 °C | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max. Spannung | 30 V | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 7.5 mΩ | |
Gehäuse | SOIC-8 | |
Verlustleistung W (DC) | 14.7 W | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 2.15x10<sup>-8</sup> C | |
Ausführung | N-Kanal | |
Montage | SMD | |
max. Strom | 33 A |
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Logistik
Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Zolltarifnummer | 85412900 |
MSL | MSL 1 |
Ursprungsland | TW |
Compliance
SVHC frei | Ja |
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |