SIR870ADP-T1-GE3 | Vishay
Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 100 V, 60 A, SOIC-8, SIR870ADP-T1-GE3
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N-Channel MOSFETs Typ Vishay Siliconix Si.
Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Widerstand (RDSON), Strom ID (TC = 25°C), Gate-Ladung Qg, Gehäuse): SiR870ADP, 100 V, 6,6 mOhm, 60 A, 25,5 nC, PowerPAK SO-8
Technische Daten
min. Temperatur | -55 °C | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max. Spannung | 100 V | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 6.3 mΩ | |
Gehäuse | SOIC-8 | |
Verlustleistung W (DC) | 104 W | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 8x10<sup>-8</sup> C | |
Ausführung | N-Kanal | |
Montage | SMD | |
max. Strom | 60 A |
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Logistik
Zolltarifnummer | 85412900 |
MSL | MSL 1 |
Ursprungsland | TW |
Compliance
SVHC frei | Ja |
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |