SIR826ADP-T1-GE3 | Vishay

Name: Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 80 V, 60 A, SOIC-8, SIR826ADP-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 24S8210
Availability: InStock

Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 80 V, 60 A, SOIC-8, SIR826ADP-T1-GE3

Bestellnr.: 24S8210

EAN: 4099879033666

HTN:

SIR826ADP-T1-GE3

Herstellerserien: SI

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Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 80 V

max. Strom 60 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 5.5 mΩ

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Produktbeschreibung

N-Channel MOSFETs Typ Vishay Siliconix Si.

Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Widerstand (RDSON), Strom ID (TC = 25°C), Gate-Ladung Qg, Gehäuse): SiR826ADP, 80 V, 5,5 mOhm, 60 A, 25 nC, PowerPAK SO-8

Technische Daten

	max. Temperatur	150 °C
	Montage	SMD
	Verlustleistung W (DC)	104 W
	min. Temperatur	-55 °C
	Gate Charge Qg @10V (nC)	2.5x10<sup>-8</sup> C
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	5.5 mΩ
	Ausführung	N-Kanal
	max. Strom	60 A
	max. Spannung	80 V
	Gehäuse	SOIC-8