SIR826ADP-T1-GE3 | Vishay

Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 80 V, 60 A, SOIC-8, SIR826ADP-T1-GE3

Bestellnr.: 24S8210
EAN: 4099879033666
HTN:
SIR826ADP-T1-GE3
Herstellerserien: SI
SIR826ADP-T1-GE3 Vishay MOSFETs
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N-Channel MOSFETs Typ Vishay Siliconix Si.

Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Widerstand (RDSON), Strom ID (TC = 25°C), Gate-Ladung Qg, Gehäuse): SiR826ADP, 80 V, 5,5 mOhm, 60 A, 25 nC, PowerPAK SO-8

Technische Daten
Filter Merkmal Wert
min. Temperatur -55 °C
max. Strom 60 A
Verlustleistung W (DC) 104 W
Gate Charge Qg @10V (nC) 2.5x10<sup>-8</sup> C
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 5.5 mΩ
Gehäuse SOIC-8
max. Temperatur 150 °C
Ausführung N-Kanal
Montage SMD
max. Spannung 80 V
Logistik
Merkmal Wert
MSL MSL 1
Ursprungsland TW
Zolltarifnummer 85412900
Compliance
Merkmal Wert
RoHS konform Ja
SVHC frei Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15