SIR640ADP-T1-GE3 | Vishay
Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 40 V, 41.6 A, SOIC-8, SIR640ADP-T1-GE3
Bestellnr.: 24S8236
EAN: 4099879033741
HTN:
SIR640ADP-T1-GE3
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N-Channel MOSFETs Typ Vishay Siliconix Si.
Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Widerstand (RDSON), Strom ID (TC = 25°C), Gate-Ladung Qg, Gehäuse): SiR640ADP, 40 V, 2,0 mOhm, 60 A, 28,5 nC, PowerPAK SO-8
Technische Daten
max. Strom | 41.6 A | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 9x10<sup>-8</sup> C | |
max. Temperatur | 150 °C | |
Ausführung | N-Kanal | |
Montage | SMD | |
max. Spannung | 40 V | |
Gehäuse | SOIC-8 | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 2 mΩ | |
min. Temperatur | -55 °C |
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Logistik
Zolltarifnummer | 85412900 |
Ursprungsland | TW |
MSL | MSL 1 |
Compliance
SVHC frei | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
RoHS konform | Ja |