SIR640ADP-T1-GE3 | Vishay

Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 40 V, 41.6 A, SOIC-8, SIR640ADP-T1-GE3

Bestellnr.: 24S8236
EAN: 4099879033741
HTN:
SIR640ADP-T1-GE3
SIR640ADP-T1-GE3 Vishay MOSFETs
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N-Channel MOSFETs Typ Vishay Siliconix Si.

Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Widerstand (RDSON), Strom ID (TC = 25°C), Gate-Ladung Qg, Gehäuse): SiR640ADP, 40 V, 2,0 mOhm, 60 A, 28,5 nC, PowerPAK SO-8

Technische Daten
max. Strom 41.6 A
Gate Charge Qg @10V (nC) 9x10<sup>-8</sup> C
max. Temperatur 150 °C
Ausführung N-Kanal
Montage SMD
max. Spannung 40 V
Gehäuse SOIC-8
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 2 mΩ
min. Temperatur -55 °C
Logistik
Zolltarifnummer 85412900
Ursprungsland TW
MSL MSL 1
Compliance
SVHC frei Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
RoHS konform Ja