SIR640ADP-T1-GE3 | Vishay

Name: Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 40 V, 41.6 A, SOIC-8, SIR640ADP-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 24S8236
Availability: OutOfStock

Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 40 V, 41.6 A, SOIC-8, SIR640ADP-T1-GE3

Bestellnr.: 24S8236

EAN: 4099879033741

HTN:

SIR640ADP-T1-GE3

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Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 40 V

max. Strom 41.6 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 2 mΩ

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Produktbeschreibung

N-Channel MOSFETs Typ Vishay Siliconix Si.

Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Widerstand (RDSON), Strom ID (TC = 25°C), Gate-Ladung Qg, Gehäuse): SiR640ADP, 40 V, 2,0 mOhm, 60 A, 28,5 nC, PowerPAK SO-8

Technische Daten

	max. Spannung	40 V
	Gehäuse	SOIC-8
	Gate Charge Qg @10V (nC)	9x10<sup>-8</sup> C
	min. Temperatur	-55 °C
	max. Temperatur	150 °C
	max. Strom	41.6 A
	Montage	SMD
	Ausführung	N-Kanal
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	2 mΩ