SIJ438DP−T1−GE3 | Vishay

Name: Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 40 V, 80 A, PowerPAK SO-8L, SIJ438DP−T1−GE3
Brand: Vishay
SKU: 54S1027
Availability: InStock

Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 40 V, 80 A, PowerPAK SO-8L, SIJ438DP−T1−GE3

Bestellnr.: 54S1027

EAN: 4099879034830

HTN:

SIJ438DP−T1−GE3

Herstellerserien: SIJ438

Abbildung kann abweichen

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Wichtige Spezifikationen:

Ausführung N-Kanal

max. Spannung 40 V

max. Strom 80 A

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V 1.75 mΩ

Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 1.35 mΩ

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Produktbeschreibung

N-Kanal-MOSFET, SIJ438DP-T1-GE3, Vishay

Features

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS-Qoss FOM
100 % Rg und UIS getestet
Qgd / Qgs-Verhältnis < 1 optimiert das Schaltverhalten

Technische Daten

Filter	Merkmal	Wert
	Gate Charge Qg @10V (nC)	0.000000121 C
	Montage	SMD
	Ausführung	N-Kanal
	max. Strom	80 A
	max. Spannung	40 V
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V	1.75 mΩ
	Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V	1.35 mΩ
	min. Temperatur	-55 °C
	Verlustleistung W (DC)	69.4 W
	max. Temperatur	150 °C
	Gehäuse	PowerPAK SO-8L