SIJ438DP-T1-GE3 | Vishay
Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 40 V, 80 A, PowerPAK SO-8L, SIJ438DP-T1-GE3
Einzelpreis (€ / Stk.)
1,1543 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 2 Wochen
Gesamtpreis:
115,43 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Zwischenverkauf vorbehalten
100 Stk.
1,1543 €
N-Kanal-MOSFET, SIJ438DP-T1-GE3, Vishay
Features
- Abgestimmt auf den niedrigsten RDS-Qoss FOM
- 100 % Rg und UIS getestet
- Qgd / Qgs-Verhältnis < 1 optimiert das Schaltverhalten
Technische Daten
Filter | Merkmal | Wert |
---|---|---|
Gehäuse | PowerPAK SO-8L | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.21x10<sup>-7</sup> C | |
max. Strom | 80 A | |
max. Temperatur | 150 °C | |
Verlustleistung W (DC) | 69.4 W | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 1.35 mΩ | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V | 1.75 mΩ | |
max. Spannung | 40 V | |
Ausführung | N-Kanal | |
Montage | SMD |
Download
Logistik
Merkmal | Wert |
---|---|
Zolltarifnummer | 85412900 |
Ursprungsland | CN |
MSL | MSL 3 |
Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
Merkmal | Wert |
---|---|
SVHC frei | Ja |
RoHS konform | Ja |