SI4948BEY-T1-GE3 | Vishay
Vishay P-Kanal Dual MOSFET, -60 V, -2.4 A, SOIC-8, SI4948BEY-T1-GE3
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MOSFET, SI4948BEY-T1-GE3, Vishay
SMD MOSFET PFET, -60 V, -2,4 A, 120 mΩ, 175 °C, SOIC-8, SI4948BEY-T1-GE3.
Technische Daten
| max. Strom | -2.4 A | |
| Ausführung | P-Kanal | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.45x10<sup>-8</sup> C | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 120 mΩ | |
| max. Spannung | -60 V | |
| Gehäuse | SOIC-8 | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| Verlustleistung W (DC) | 2.4 W | |
| Montage | SMD |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 2.500 Stück |
Compliance
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |