IRFD110PBF | Vishay
Vishay N-Kanal Power MOSFET, 100 V, 1 A, DIP-4, IRFD110PBF
Bestellnr.: 24S3287
HTN:
IRFD110PBF
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MOSFET NFET en Reihe IRFD.
Typ: IRFD110, PDIP4, Vishay
Technische Daten
| Verlustleistung W (DC) | 1.3 W | |
| max. Strom | 1 A | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 8.3x10<sup>-9</sup> C | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Montage | THT | |
| max. Spannung | 100 V | |
| Gehäuse | DIP-4 | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 540 mΩ | |
| min. Temperatur | -55 °C |
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Logistik
| Originalverpackung | Stange mit 100 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | PH |
Compliance
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |