TK72E12N1,S1X(S | Toshiba
Toshiba N-Kanal MOSFET, 120 V, 72 A, TO-220, TK72E12N1,S1X(S
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MOSFET, TK72E12N1,S1X(S, Toshiba
MOSFETs Silizium-N-Kanal-MOS (U-MOS-H)
Features
- Niedriger Drain-Source-On-Widerstand
- Niedriger Leckstrom
Anwendungen
- Schaltspannungsregler
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 0.00000013 C | |
| Montage | THT | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Strom | 72 A | |
| max. Spannung | 120 V | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 4.4 mΩ | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Gehäuse | TO-220 |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
| MSL | MSL 1 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |