TK65S04N1L,LQ(O | Toshiba
Toshiba N-Kanal MOSFET, 40 V, 65 A, DPAK, TK65S04N1L,LQ(O
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MOSFET, TK65S04N1L,LQ(O, Toshiba
MOSFETs Silizium-N-Kanal-MOS (U-MOS -H)
Features
- Niedriger Drain-Source-On-Widerstand
- Niedriger Leckstrom
Anwendungen
- Schaltspannungsregler
- Automobilindustrie
- Autofahrer
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Spannung | 40 V | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 3.9x10<sup>-8</sup> C | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 4.3 mΩ | |
| max. Strom | 65 A | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 175 °C | |
| Gehäuse | DPAK | |
| Montage | SMD |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Bulk mit 2.000 Stück |
| MSL | MSL 1 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |