TK100E06N1,S1X(S | Toshiba
Toshiba N-Kanal MOSFET, 60 V, 100 A, TO-220, TK100E06N1,S1X(S
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MOSFET, TK100E06N1,S1X(S, Toshiba
MOSFETs Silizium-N-Kanal-MOS (U-MOS-H)
Features
- Niedriger Drain-Source-On-Widerstand
- Niedriger Leckstrom
Anwendungen
- Schaltspannungsregler
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 2.3 mΩ | |
| Gehäuse | TO-220 | |
| max. Strom | 100 A | |
| Verlustleistung W (DC) | 255 W | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Montage | THT | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.4x10<sup>-7</sup> C | |
| max. Spannung | 60 V | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| min. Temperatur | -55 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Bulk mit 50 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| MSL | MSL 1 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |