TK100E06N1,S1X(S | Toshiba
Toshiba N-Kanal MOSFET, 60 V, 100 A, TO-220, TK100E06N1,S1X(S
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MOSFET, TK100E06N1,S1X(S, Toshiba
MOSFETs Silizium-N-Kanal-MOS (U-MOS-H)
Features
- Niedriger Drain-Source-On-Widerstand
- Niedriger Leckstrom
Anwendungen
- Schaltspannungsregler
Technische Daten
max. Temperatur | 150 °C | |
Montage | THT | |
Verlustleistung W (DC) | 255 W | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.4x10<sup>-7</sup> C | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 2.3 mΩ | |
Ausführung | N-Kanal | |
max. Strom | 100 A | |
max. Spannung | 60 V | |
Gehäuse | TO-220 |
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Logistik
Originalverpackung | Bulk mit 50 Stück |
Zolltarifnummer | 85412900 |
MSL | MSL 1 |
Compliance
SVHC frei | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
RoHS konform | Ja |