Halbbrücken-Gate-Treiber, TPS28225DR, Texas Instruments
Der TPS28225DR ist ein Hochgeschwindigkeitstreiber für komplementärgetriebene N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit adaptiver Totzeitsteuerung. Der TPS28225DR ist für den Einsatz in einer Vielzahl von ein- und mehrphasigen Hochstrom-DC-to-DC-Wandlern optimiert und bietet eine kompakte, effiziente Lösung mit geringer EMI-Emission. Der hohe Wirkungsgrad wird durch mehrere Schlüsselfunktionen erreicht: eine Gate-Treiberspannung von bis zu 8,8 V, eine schnelle adaptive Totzeitsteuerung von 14 ns, eine Ausbreitungsverzögerung von 14 ns und eine starke Treiberfähigkeit mit 2 A Source- und 4 A Sinkströmen. Die niedrige Impedanz von 0,4 Ω des unteren Gate-Treibers stellt sicher, dass das MOSFET-Gate unter seiner Schwellenspannung bleibt, wodurch ein Durchschussstrom bei hohen dV/dt-Übergängen am Phasenknoten verhindert wird. Eine interne Diode ermöglicht das Laden des Bootstrap-Kondensators, so dass der TPS28225DR N-Kanal-MOSFETs in einer Halbbrücken-Konfiguration effizient ansteuern kann.
Features
- 3-State-PWM-Eingang zur Abschaltung der Endstufe
- Thermische Abschaltung
- UVLO-Schutz
- Interne Bootstrap-Diode
