M24256-BWDW6TP | STMicroelectronics
EEPROM-Speicher, 256 kbit, SOIC-8, STMicroelectronics M24256-BWDW6TP
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EEPROM, M24256-BWDW6TP, STMicroelectronics
Der M24256-BWDW6TP kann mit einer Versorgungsspannung von 2,5 V bis 5,5 V betrieben werden, der M24256-BR und der M24256-DR können mit einer Versorgungsspannung von 1,8 V bis 5,5 V betrieben werden, und der M24256-BF und der M24256-DF können mit einer Versorgungsspannung von 1,7 V bis 5,5 V betrieben werden. Alle diese Bausteine arbeiten mit einer Taktfrequenz von 1 MHz (oder weniger) über einen Umgebungstemperaturbereich von -40 °C / +85 °C.
Features
- Schreibschutz für den gesamten Speicherbereich
- Verbesserter ESD/Latch-Up-Schutz
- Mehr als 4 Millionen Schreibzyklen
- Kompatibel mit dem Serial Peripheral Interface (SPI) Bus
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Gehäuse | SOIC-8 | |
| Montage | SMD | |
| Speichergröße | 256 kbit | |
| Spannung | 2,5-5,5 V | |
| Zugriffszeit | 450 s | |
| Taktfrequenz | 1 MHz | |
| Technologie | EEPROM | |
| min. Temperatur | -40 °C | |
| max. Temperatur | 85 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| MSL | MSL 1 |
| Zolltarifnummer | 85423275 |
| Originalverpackung | Rolle mit 4.000 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |