STP3NK80Z | STMicroelectronics
STMicroelectronics N-Kanal SuperMESH Power MOSFET, 800 V, 2.5 A, TO-220, STP3NK80Z
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Leistungs-MOSFET, STP3NK80Z, STMicroelectronics
Der STP3NK80Z ist ein 800V N-Kanal Zener-geschützter Power-MOSFET, der unter Verwendung der SuperMESH™ Technologie entwickelt wurde, was durch die Optimierung des gut etablierten streifenbasierten PowerMESH™ Layouts erreicht wurde. Neben der deutlichen Verringerung des Durchlasswiderstandes wird besonders darauf geachtet, dass eine sehr gute dv/dt-Fähigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen gewährleistet ist. Verbesserte Gate-Ladung und geringere Verlustleistung, um den heutigen anspruchsvollen Effizienzanforderungen gerecht zu werden.
Features
- Extrem hohe dv/dt Fähigkeit
- 100% lawinengeprüft
- Gate-Ladung minimiert
- Sehr niedrige intrinsische Kapazität
- Sehr gute Wiederholbarkeit der Fertigung
Technische Daten
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 4.5 Ω | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1x10<sup>-8</sup> C | |
| Gehäuse | TO-220 | |
| max. Spannung | 800 V | |
| max. Strom | 2.5 A | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | THT | |
| Verlustleistung W (DC) | 70 W |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| MSL | MSL 1 |
| Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |