STP3N150 | STMicroelectronics
STMicroelectronics N-Kanal PowerMESH MOSFET, 1500 V, 2.5 A, TO-220, STP3N150
Einzelpreis (€ / Stk.)
3,0702 € *
Sofort verfügbar: 2.849 Stk.
Leistungs-MOSFET, STP3N150, STMicroelectronics
Der STP3N150 ist ein PowerMESH™ N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit minimierten Eigenkapazitäten und Qg. Dieser Leistungs-MOSFET wurde unter Verwendung des konsolidierten, auf dem Streifenlayout basierenden MESH OVERLAY™ Prozesses des Unternehmens entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, das die Leistung vergleichbarer Standard-Bauteile anderer Hersteller erreicht oder verbessert.
Features
- 100% lawinengeprüft
- Hochgeschwindigkeits-Umschaltung
- Die Kriechstrecke beträgt 5,4 mm
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | THT | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Gehäuse | TO-220 | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 9 Ω | |
| max. Spannung | 1500 V | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1x10<sup>-8</sup> C | |
| Verlustleistung W (DC) | 63 W | |
| max. Strom | 2.5 A |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| MSL | MSL 1 |
| Ursprungsland | CN |
| Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |